SI5402DC-T2

功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:650 V

闸/源击穿电压:25 V

漏极连续电流:130 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms

配置:Single

最大工作温度:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247

封装:Tube

热门现货
供应商
型号
数量
厂商
批号
封装
交易说明
询价
QQ
  • SI5402DC-T2
  • 6000
  • Vishay / Siliconix
  • 1823+
  • 原厂原封
  • 十年信誉,只做原装,真实库存 
  • 立即询价